Quiz: semiconductores (los semiconductores


semiconductoresOnline version Relacionado a los temas de la unidad 3 by Nava Rivera Edwin 1 Si en un semiconductor intrínseco aumenta mucho la temperatura a Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos b Su resistividad aumenta c Puede llegar a comportarse como un buen conductor 2 En un semiconductor intrínseco a No existen impurezas de ningún tipo b La concentración de electrones y huecos depende de la temperatura c La concentración de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n 3 ¿Cuál de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor tipo n? a Cargado positivamente b Cargado negativamente c Neutro 4 El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de silicio con boro, el semiconductor resultante es: a Heterogéneo b Tipo n c Tipo p 5 Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante: a Envejecimiento b Acritud más envejecimiento c Acritud 6 La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en: a La diferencia de población electrónica en la banda de conducción. b La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción. c Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal. 7 A temperaturas superiores a la crítica, un semiconductor dopado cambia: a Poco ya que la conductividad ya no es función de la temperatura. b De mecanismo conductor, tomando el intrínseco una mayor importancia. c Su comportamiento conductor a extrínseco. 8 La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos: a Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina. b Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad. c Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores 9 Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son: a Temperatura, movilidad y diferencia energética entre bandas. b Concentración de portadores de carga libre. c Temperatura y movilidad. 10 En los semiconductores, los agentes activos de conducción son: a Los electrones de la banda de valencia. b Los huecos de la banda de valencia. c Electrones y huecos. 11 La estructura electrónica de los semiconductores está formada por: a Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos. b Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción. c Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía. 12 Una conductividad eléctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de: a Cobre puro OFHC. b Plata. c Cobre aleado. 13 El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a: a El aumento de la velocidad de deriva. b El aumento del tamaño de estos átomos. c La diminución de la movilidad de los electrones. 14 En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de: a Los electrones activados térmicamente. b Los huecos. c Los electrones y huecos. 15 En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel prohibido de energía, Ed, necesaria para activar térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es: a Inferior a Eg. b Superior a Eg. c Igual a Eg. 16 En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por: a La movilidad y la temperatura. b La temperatura y la concentración de dopante. c La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg. 17 ¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n, donadores? a Fósforo, P. b Aluminio, Al. c Boro, B. 18 En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a: a Electrones donadores. b Electrones donadores y electrones activados térmicamente. c Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente. 19 ¿Qué le pasa a la resistividad eléctrica de un conductor eléctrico cuando aumenta la temperatura? a Aumenta. b Disminuye. c Se mantiene constante. 20 ¿En qué supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de un material? a Cuando esta envejecido. b Cuando es templado o solubilizado. c Cuando esta sobre envejecido. 21 Una aleación presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos: a Alta resistencia y resistividad. b Excelente conductividad. c Un grano alargado/estirado. 22 La utilización de un puente de Weastone suministra datos básicos para el: a Cálculo de la resistencia eléctrica. b Cálculo de la resistencia mecánica. c Cálculo de la resistividad eléctrica. 23 El diseño y cálculo de componentes eléctricos conductores debe controlar parámetros como: a Conductividad eléctrica del material y factor geométrico del conductor. b La intensidad de corriente. c La temperatura. 24 Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en: a Orbitales atómicos de baja energía. b Bandas continuas de energía. c Bandas de estados de energía muy próximos. 25 El campo eléctrico acelera los electrones de un metal que están situados en: a La banda de valencia. b La banda de conducción. c Fuera del átomo. 26 La correlación entre resistencia eléctrica y temperatura para los metales indica: a La resistividad disminuye con la temperatura. b La conductividad aumenta con la temperatura. c La resistividad es creciente a mayores temperaturas. 27 El contenido de impurezas en los sólidos metálicos implica: a Aumento de la conductividad, por el efecto benéfico que éstas tienen sobre la estructura cristalina. b Disminución de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos cristalinos. c Disminución de la conductividad si la impureza es más resistiva. 28 La adición de aleantes, solubles por solución sólida en un metal, nos permite obtener: a Aleaciones más conductoras respecto del metal puro. b Aleaciones mejoradas en resistencia mecánica y eléctrica. c Aleaciones mejoradas en características resistentes pero de menor conductividad. 29 Las aleaciones que endurecen por precipitación de segundas fases muestran: a Conductividad independiente del estado de tratamiento térmico. b Mayores conductividades y características resistentes en la etapa de temple. c Alta resistencia mecánica y buena conductividad en la etapa de maduración 30 ¿Cuál tiene mayor conductividad? a Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura b Semiconductor de silicio dopado con 1016 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente c Semiconductor de silicio dopado con 1014 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente

1

Si en un semiconductor intrínseco aumenta mucho la temperatura

a

Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos

b

Su resistividad aumenta

c

Puede llegar a comportarse como un buen conductor

2

En un semiconductor intrínseco

a

No existen impurezas de ningún tipo

b

La concentración de electrones y huecos depende de la temperatura

c

La concentración de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n

3

¿Cuál de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor tipo n?

a

Cargado positivamente

b

Cargado negativamente

c

Neutro

4

El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de silicio con boro, el semiconductor resultante es:

a

Heterogéneo

b

Tipo n

c

Tipo p

5

Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante:

a

Envejecimiento

b

Acritud más envejecimiento

c

Acritud

6

La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:

a

La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.

b

La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción.

c

Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal.

7

A temperaturas superiores a la crítica, un semiconductor dopado cambia:

a

Poco ya que la conductividad ya no es función de la temperatura.

b

De mecanismo conductor, tomando el intrínseco una mayor importancia.

c

Su comportamiento conductor a extrínseco.

8

La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:

a

Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina.

b

Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.

c

Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores

9

Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son:

a

Temperatura, movilidad y diferencia energética entre bandas.

b

Concentración de portadores de carga libre.

c

Temperatura y movilidad.

10

En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:

a

Los electrones de la banda de valencia.

b

Los huecos de la banda de valencia.

c

Electrones y huecos.

11

La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:

a

Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.

b

Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.

c

Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.

12

Una conductividad eléctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de:

a

Cobre puro OFHC.

b

Plata.

c

Cobre aleado.

13

El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a:

a

El aumento de la velocidad de deriva.

b

El aumento del tamaño de estos átomos.

c

La diminución de la movilidad de los electrones.

14

En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de:

a

Los electrones activados térmicamente.

b

Los huecos.

c

Los electrones y huecos.

15

En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel prohibido de energía, Ed, necesaria para activar térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es:

a

Inferior a Eg.

b

Superior a Eg.

c

Igual a Eg.

16

En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:

a

La movilidad y la temperatura.

b

La temperatura y la concentración de dopante.

c

La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.

17

¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n, donadores?

a

Fósforo, P.

b

Aluminio, Al.

c

Boro, B.

18

En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:

a

Electrones donadores.

b

Electrones donadores y electrones activados térmicamente.

c

Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.

19

¿Qué le pasa a la resistividad eléctrica de un conductor eléctrico cuando aumenta la temperatura?

a

Aumenta.

b

Disminuye.

c

Se mantiene constante.

20

¿En qué supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de un material?

a

Cuando esta envejecido.

b

Cuando es templado o solubilizado.

c

Cuando esta sobre envejecido.

21

Una aleación presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos:

a

Alta resistencia y resistividad.

b

Excelente conductividad.

c

Un grano alargado/estirado.

22

La utilización de un puente de Weastone suministra datos básicos para el:

a

Cálculo de la resistencia eléctrica.

b

Cálculo de la resistencia mecánica.

c

Cálculo de la resistividad eléctrica.

23

El diseño y cálculo de componentes eléctricos conductores debe controlar parámetros como:

a

Conductividad eléctrica del material y factor geométrico del conductor.

b

La intensidad de corriente.

c

La temperatura.

24

Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en:

a

Orbitales atómicos de baja energía.

b

Bandas continuas de energía.

c

Bandas de estados de energía muy próximos.

25

El campo eléctrico acelera los electrones de un metal que están situados en:

a

La banda de valencia.

b

La banda de conducción.

c

Fuera del átomo.

26

La correlación entre resistencia eléctrica y temperatura para los metales indica:

a

La resistividad disminuye con la temperatura.

b

La conductividad aumenta con la temperatura.

c

La resistividad es creciente a mayores temperaturas.

27

El contenido de impurezas en los sólidos metálicos implica:

a

Aumento de la conductividad, por el efecto benéfico que éstas tienen sobre la estructura cristalina.

b

Disminución de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos cristalinos.

c

Disminución de la conductividad si la impureza es más resistiva.

28

La adición de aleantes, solubles por solución sólida en un metal, nos permite obtener:

a

Aleaciones más conductoras respecto del metal puro.

b

Aleaciones mejoradas en resistencia mecánica y eléctrica.

c

Aleaciones mejoradas en características resistentes pero de menor conductividad.

29

Las aleaciones que endurecen por precipitación de segundas fases muestran:

a

Conductividad independiente del estado de tratamiento térmico.

b

Mayores conductividades y características resistentes en la etapa de temple.

c

Alta resistencia mecánica y buena conductividad en la etapa de maduración

30

¿Cuál tiene mayor conductividad?

a

Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura

b

Semiconductor de silicio dopado con 1016 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente

c

Semiconductor de silicio dopado con 1014 átomos/cm3 de boro, a temperatura ambiente

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