Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia:
– Bipolar (BJT)
– Unipolar o MOSFET (Transistor de Efecto de Campo).
– IGBT
TRANSISTORES BJT
El transistor de uniòn bipolar (de Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrònico de estado sòlido que consiste de dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente
a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades, y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrònica analògica y de potencia aunque también en algunas aplicaciones de electrònica digital.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
- Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
- Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- Colector, de extensión mucho mayor.
TRANSISTORES MOSFET
La tecnología que utilizan es diferente. El MOSFET esta hecho de
metal-óxido-semiconductor, y el transistor BJT (bipolar) normalmente es
basado en silicio. En principio ambos sirven para amplificar y/o
switchear una señal, solo que el BJT es controlado por corriente y el
MOSFET controlado por voltaje.
Otras diferencias son:
- Los MOSFET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
- Los MOSFET son más estables con la temperatura que los BJT.
- Los MOSFET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT, pues
suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga
el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de
almacenamiento, a contrario de los BJT.
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